Samsung начала производство памяти V-NAND 8-го поколения со скоростью 12,4 Гбайт/с и выше
Новые микросхемы имеют ёмкость 1 Тбит (128 Гбайт) и состоят из 236 слоёв. Компания утверждает, что новое поколение ее памяти будет предлагать на 20% более высокую производительность на пластину по сравнению с ее существующими микросхемами флэш-памяти той же емкости.
